老化是電子元件及電子產品常見的一道工序.老化在高分子材料的使用過程中,由于受到熱,氧,水,光,微生物,化學介質等環(huán)境因素的綜合作用, 高分子材料的化學組成和結構會發(fā)生一系列變化, 物理性能也會相應變壞, 如發(fā)硬,發(fā)粘,變脆,變色,失去強度等, 這些變化和現象稱為老化,高分子材料老化的本質是其物理結構或化學結構的改變.在晶振此款電子元件亦是如此.

晶體的串聯(lián)諧振頻率逐漸變化.幾年內百萬分之幾的變化很常見.大多數變化發(fā)生在第一年或第二年.在較高溫度和振蕩幅度下,老化發(fā)生得更快.老化的主要原因是晶體質量的增加.增加的質量通常來自水晶盒內的污染物,這些污染物落在并粘附在水晶表面上.

頻率誤差

頻率誤差有四個主要來源:

初始公差,或制造商在25°C時使用指定負載電容的容差

隨溫度變化的頻率變化

從負載電容變化"拉"

老化

驅動級依賴

經過一段時間不活動(數小時到數周)后,石英晶振的串聯(lián)電阻可以遠高于其最大規(guī)定值,從而成為交流電驅動電平的函數.這種效應被稱為驅動級依賴性(DLD)或"困晶體".如果晶體受到機械沖擊或電驅動"硬",則串聯(lián)電阻通常會回落到指定的限制范圍內.

DLD被認為是由晶體封裝內污染造成的額外機械損失引起的.污染物可以是固體顆粒或水分,通常是在水晶上凝結或凍結的水.一旦振動消除了污染,正常的串聯(lián)電阻就會恢復.污染可能不會再次沉降(或至少不會達到相同程度),導致串聯(lián)電阻的不穩(wěn)定和不可預測的變化.

當顆粒永久地粘附在晶體上,電極電鍍裂縫或松散,或晶體被劃傷時,就會發(fā)生不可逆的DLD.沒有晶體完全沒有DLD,但是更高質量的產品表現出更低的DLD,無論是串聯(lián)電阻增加的程度還是表現出電阻變化的單元的百分比.

為了減少與DLD相關的問題,請使用大的負電阻,大于制造商規(guī)定的最大串聯(lián)電阻的四倍.這消除了幾乎所有DLD問題.您也可以從制造高品質32.768K的供應商處購買.或者,為經過工廠測試的低DLD晶體支付額外費用.

虛假模式

晶體通常在基頻附近具有不希望的機械共振.這些"寄生模式"可以被建模為與基頻分支并聯(lián)的串聯(lián)LCR分支.寄生模式通常具有比期望模式更高的損耗,因此不太可能強烈振蕩.(晶體制造商通常會測試雜散共振,并且不會在這些頻率下運輸具有低損耗的單元.)

具有大負電阻的石英晶體振蕩器通常在整個振蕩周期中限制或削減.在限制期間,電路的有效增益基本上為零(即,輸入的變化在輸出中產生很小的變化或沒有變化).除非寄生模式具有低損耗,或者有源電路不會強烈限制信號幅度,否則將不會有足夠的增益來使寄生模式振蕩.它們將被所需的大信號振蕩"阻塞".如果這些不希望的次級振蕩有足夠的增益,這些頻率會對PLL和其他電路中的相位頻率檢測器造成嚴重破壞.

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