遙遙領(lǐng)先希華石英晶體諧振器隱知識(shí)解析，晶振電路無(wú)信號(hào)輸出？

負(fù)電阻(-R)是評(píng)價(jià)振蕩電路好壞的標(biāo)準(zhǔn)，其值至少應(yīng)為晶振電阻的5倍，以維持穩(wěn)定的振蕩。因此，按照以下說(shuō)明測(cè)量負(fù)電阻非常重要:

(1)將電阻(Rx)與晶體串聯(lián)

(2)從振蕩的起點(diǎn)到終點(diǎn)調(diào)整Rx的值。

(3)測(cè)量振蕩期間Rx的值。

(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|-R| = Rx + Re，Re =有效晶體電阻。

步驟1-6。如果IC的負(fù)電阻太低，無(wú)法驅(qū)動(dòng)電路，我們提出三種解決方案來(lái)改善這種情況。

(1)降低限制電阻器(Rd)的值。但是，您還應(yīng)該確認(rèn)頻移和晶體驅(qū)動(dòng)電流是否同時(shí)符合規(guī)格。

(2)降低外部電容(Cg和Cd)的值，采用負(fù)載電容(CL)較低的其他晶體。

(3)采用電阻(Rr)較低的晶體。遙遙領(lǐng)先希華石英晶體諧振器隱知識(shí)解析.

XTL92

1.0 x 0.8 x 0.3

37.4 - 80MHz

±20ppm

-30 ~ +85℃

XTL91

1.2 x 1.0 x 0.3

24 - 80MHz

±15ppm

-30 ~ +85℃

XTL90

1.6 x 1.2 x 0.35

24 - 80MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +105℃

XTL90

1.6 x 1.2 x 0.35

24 - 60MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +125℃

XTL50

2.0 x 1.6 x 0.55

16 - 80MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +105℃

XTL50

2.0 x 1.6 x 0.55

16 - 60MHz

±15ppm
±50ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +125℃

XTL58

2.5 x 2.0 × 0.6

12 - 66MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +105℃

XTL58

2.5 x 2.0 × 0.6

12 - 54MHz

±15ppm
±50ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +125℃

XTL57

3.2 x 2.5 × 0.8

8 - 54MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +105℃

XTL57

3.2 x 2.5 × 0.8

8 - 54MHz

±15ppm
±50ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +125℃

步驟2-1。如果頻率計(jì)測(cè)得的頻率超出限值，我們應(yīng)增加外部電容CL(或Cd & Cg的值)，以將頻率降低至我們的目標(biāo)頻率，反之亦然。

第2-2步。如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率，我們可以采用電容較低的晶體，反之亦然。

晶體參數(shù)的測(cè)試方法是什么？

將“pi電路”連接到具有測(cè)量等效常數(shù)功能的網(wǎng)絡(luò)分析儀，并進(jìn)行測(cè)量。JIS和IEC規(guī)定了“pi電路”的形狀和內(nèi)部電阻，如下所示。

如何描繪振蕩器電路的工作原理？

晶體控制振蕩器可被視為由一個(gè)放大器和一個(gè)反饋網(wǎng)絡(luò)組成，該反饋網(wǎng)絡(luò)選擇放大器輸出的一部分并將其返回到放大器輸入。這種電路的一般描述如下所示。

為了使振蕩器電路工作，必須滿(mǎn)足兩個(gè)條件:(A)環(huán)路功率增益必須等于1。(B)環(huán)路相移必須等于0、2π、4π等?；《?/span>

什么是串聯(lián)或并聯(lián)諧振頻率？

從下圖可以明顯看出，壓電石英晶體單元有兩個(gè)零相位頻率。第一個(gè)，或兩者中較低的，是串聯(lián)諧振頻率，通?？s寫(xiě)為Fs。零相位的兩個(gè)頻率中的第二個(gè)或更高的頻率是平行或反諧振頻率，通?？s寫(xiě)為Fa。在振蕩器電路中，串聯(lián)和并聯(lián)諧振頻率都表現(xiàn)為電阻性。在串聯(lián)諧振點(diǎn)，電阻最小，電流最大。

在并聯(lián)點(diǎn)，電阻最大，電流最小。因此，并聯(lián)諧振頻率Fa不得用作振蕩器電路的控制頻率。

通過(guò)在振蕩器電路的反饋回路中包含電抗元件(通常是電容器),可以使石英晶體單元在串聯(lián)和并聯(lián)諧振點(diǎn)之間的線(xiàn)上的任意點(diǎn)振蕩。fs和fa頻率由壓電陶瓷材料及其物理參數(shù)決定。等效電路常數(shù)可由以下公式確定:

晶體的CL值是多少？它對(duì)什么有影響？

所有石英晶體諧振器都有一個(gè)串聯(lián)諧振頻率(fs，最低阻抗的頻率)。在此頻率下，晶體在電路中表現(xiàn)為阻性。通過(guò)增加與晶體串聯(lián)的電抗(電容),可以將晶體從這個(gè)串聯(lián)頻率中“拉出來(lái)”。當(dāng)與外部負(fù)載電容(CL)一起工作時(shí)，晶體在略高于其串聯(lián)諧振頻率的頻率范圍內(nèi)振蕩。這是并聯(lián)(負(fù)載諧振)頻率。

負(fù)載頻率取決于CL值，其公式如下所示。

如果輸出晶振頻率高于目標(biāo)頻率，則應(yīng)增加外部電容CL(或Cd & Cg的值)，以將頻率降至目標(biāo)頻率。另一種方法是，如果頻率高于中心頻率，則采用電容較低的晶體。

晶體的頻率牽引能力不夠或牽引范圍不對(duì)稱(chēng)。

(1)如下圖所示，電路的負(fù)載電容與牽拉性成反比。結(jié)果表明，負(fù)載電容越小，頻率牽引范圍越大，反之亦然。

(2)另一方面，無(wú)源晶體特性也影響頻率牽引范圍。例如，有配平靈敏度(TS)、一氧化碳和C1。負(fù)載電容增量變化的小數(shù)頻率變化稱(chēng)為T(mén)S。當(dāng)C1變大或Co變小時(shí)，頻率牽引能力變大。

(3)如果提拉范圍不對(duì)稱(chēng)，即一邊提拉不夠，另一邊提拉太大，我們可以調(diào)整晶體的負(fù)載電容值。

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