日本大真空株式會(huì)社KDS晶振,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡(jiǎn)稱(KDS晶振)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振品牌實(shí)力見證未來,KDS晶振集團(tuán)總公司位于日本兵庫(kù)縣加古川,在泰國(guó),印度尼西亞,臺(tái)灣,中國(guó)天津這些大城市均有壓控晶體振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振的生產(chǎn)工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷.
KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振,小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型(2.5×2.0×0.5mmtyp.)具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
DSX221G工業(yè)級(jí)晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.00MHZ~64.0MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+105°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +105°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.http://www.cnpsc.cn |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
DSX221G晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.00MHZ~64.0MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.http://www.cnpsc.cn |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |

KDS晶振所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
KDS晶振環(huán)保方針:
●符合法律法規(guī)的要求
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).
環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā),生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件,壓電石英晶體,有源晶體,壓電陶瓷諧振器,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振將:
通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.
有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.
避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).
遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律,標(biāo)準(zhǔn),協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.
根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.