GVXO-44F晶振,高利奇振蕩器,GVXO-44F/NEI-80.000MHZ,進(jìn)口壓控晶振,石英插件晶振
壓控晶體振蕩器的頻率溫度穩(wěn)定性由石英諧振器和振蕩電路兩方面的溫度特性引起，通常以石英諧振器的溫度特性為主。對(duì)于高頻寬壓控晶振，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)晶振的溫頻特性相對(duì)于石英諧振器的溫頻特性出現(xiàn)明顯偏移和惡化的情況。如果將該有源晶振用于應(yīng)答機(jī)中，將會(huì)減小應(yīng)答機(jī)在寬溫下的信號(hào)搜索范圍，降低使用性能。
高利奇晶振的 GVXO - 44F/NEI - 80.000MHz 壓控晶振脫穎而出。它是一款進(jìn)口的石英插件晶振，插件式設(shè)計(jì)使其在安裝過程中極為便捷，能快速穩(wěn)固地連接到電路板上，適用于各類對(duì)安裝效率有要求的生產(chǎn)場(chǎng)景。
作為壓控晶振，它最大的優(yōu)勢(shì)在于可通過電壓精確調(diào)節(jié)輸出頻率。精準(zhǔn)的 80.000MHz 頻率輸出，為電子設(shè)備提供了穩(wěn)定可靠的時(shí)鐘信號(hào)。當(dāng)設(shè)備需要根據(jù)不同的工作狀態(tài)調(diào)整頻率時(shí)，只需改變控制電壓，就能靈活實(shí)現(xiàn)頻率的微調(diào)，滿足多樣化的應(yīng)用需求。
GVXO-44F晶振,高利奇振蕩器,GVXO-44F/NEI-80.000MHZ,進(jìn)口壓控晶振,石英插件晶振
| 頻率范圍 | 33.0 ~ 125兆赫 |
| 尺寸 | 20.80 x 13.08 x 5.70 毫米 |
| 包 | 14 針 DIL （全尺寸） |
| 電壓控制 | +1.65V ±1.65V，100kΩ 輸入阻抗> 10% 線性度 |
| 老化 | 每年最大 ±5.0 ppm |
| 儲(chǔ)存溫度范圍 | -55 至 +125°C |
| 電源電壓 （VDD 系列) | +3.3V （±5%） |
| 電源電流 | 最大 18mA （33.0 ~ 45.0MHz） |
| 最大 20mA （>45.0 ~ 80.0MHz） | |
| 最大 25mA （>80.0 ~ 125MHz） | |
| 駕駛能力 | 30pF CMOS |
| 5 LSTTL 封裝 | |
| 邏輯電平 | “0”電平 = +0.4V，最大 |
| “1”電平 = 90%VDD 系列分鐘 | |
| 波形對(duì)稱性 @ 50%VDD 系列 | 最大 40：60 |
| 上升/下降時(shí)間 | 最大 5ns （0.4V ~ 90%VDD 系列min） |
GVXO-44F晶振,高利奇振蕩器,GVXO-44F/NEI-80.000MHZ,進(jìn)口壓控晶振,石英插件晶振
GVXO-44F晶振,高利奇振蕩器,GVXO-44F/NEI-80.000MHZ,進(jìn)口壓控晶振,石英插件晶振
所有晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍。
Pletronics差分晶振,LV4444JEW-100.0MDK,LVDS有源晶振,LV44J振蕩器
LVDS時(shí)鐘振蕩器,低抖動(dòng)進(jìn)口晶振,Pletronics差分晶振,LV3320JEV-125.0MDK
