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首頁(yè) 日產(chǎn)進(jìn)口晶振

愛(ài)普生晶振,SG5032CAN有源晶體,X1G0044510002振蕩器

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

貼片石英晶振,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因晶振小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

愛(ài)普生晶振,SG5032CAN有源晶體,X1G0044510002振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.SMD晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

產(chǎn)品技術(shù)方面,除了不斷提升既有產(chǎn)品規(guī)格的精密度及穩(wěn)定性之外,我們更專(zhuān)注開(kāi)發(fā)高溫度耐受性的產(chǎn)品,特殊應(yīng)用領(lǐng)域之規(guī)格,并朝小型化開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì),以滿(mǎn)足終端產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì).愛(ài)普生晶振歷經(jīng)近80年的經(jīng)營(yíng),在追求技術(shù)及銷(xiāo)售之余,我們更竭力于環(huán)境的保護(hù),投入綠色化產(chǎn)品及材料的開(kāi)發(fā),秉持取之于社會(huì),用之于社會(huì)的理念,推動(dòng)環(huán)保,節(jié)能及社會(huì)回饋等生活概念,期盼帶動(dòng)我們企業(yè)的貼片石英晶振同仁,供應(yīng)商伙伴及客戶(hù)群參與并發(fā)起社會(huì)活動(dòng),共同創(chuàng)造美好,健康的未來(lái).

項(xiàng)目

符號(hào)

SG5032CAN晶振規(guī)格

條件

輸出頻率范圍

f0

1~75MHz

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.6~3.63V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -20to +70

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.cnpsc.cn

H: -40to +85

J: -40to +105

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±25× 10-6


L: ±50 × 10-6

T: ±100 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC, L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25,初年度,第一年

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

抗沖擊

晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果進(jìn)口晶振已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬蓋,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用表面SMD封裝晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.

靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率.

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加.

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容.

晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊

所有OSC晶振和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門(mén)或雜散現(xiàn)象.

輸入終端的處理

未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCCGND.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的晶體單元的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

SG5032CAN

京瓷晶振集團(tuán)建立一種可測(cè)量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo),定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評(píng)審.在現(xiàn)有的或新生的各種活動(dòng)中不斷監(jiān)測(cè)和改進(jìn)環(huán)境績(jī)效.通過(guò)對(duì)生產(chǎn)活動(dòng)的持續(xù)改進(jìn)和促進(jìn)對(duì)低效或無(wú)效的環(huán)境法律法規(guī)進(jìn)行合理化轉(zhuǎn)變,努力提高環(huán)境管理中資本的效力.

將生產(chǎn)活動(dòng)中的環(huán)境因素和環(huán)境影響的分析納入我們的決策中來(lái),確保活動(dòng)中每一分子的運(yùn)作和發(fā)展都體現(xiàn)對(duì)污染預(yù)防方針的貫徹.

我們將定期對(duì)雇員進(jìn)行教育和培訓(xùn),確保他們能夠安全高效的工作,樹(shù)立他們的環(huán)保責(zé)任感. 與雇員,客戶(hù),公眾,政府及關(guān)注公司環(huán)境績(jī)效和持續(xù)改進(jìn)計(jì)劃的相關(guān)方進(jìn)行充分開(kāi)放的信息交流.

京瓷晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器廢棄物等.

京瓷晶振集團(tuán)盡可能的采用無(wú)害的壓電石英晶體元器件,壓電石英晶體,有源晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì),溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.

京瓷晶振根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù),材料和壓電石英晶體元器件,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,壓電石英晶體,有源晶體產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動(dòng)的公開(kāi)性.

減少污染物排放,對(duì)不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少?gòu)U物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.

通過(guò)設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.

京瓷晶振集團(tuán)保持就健康安全環(huán)境問(wèn)題與臨近攝取進(jìn)行對(duì)話(huà).通過(guò)在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和與強(qiáng)生公司全球運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的壓電石英晶體,有源晶體,壓電陶瓷諧振器,晶體振蕩器,有源晶振產(chǎn)品和生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).

實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).

京瓷晶振致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染.在晶體振蕩器,有源晶振產(chǎn)品的規(guī)劃到制造,運(yùn)行維修等整個(gè)過(guò)程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù).在業(yè)務(wù)活動(dòng)中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少?gòu)U棄物和再生資源的回收利用.在積極公開(kāi)有關(guān)環(huán)境的信息的同時(shí),通過(guò)支持環(huán)保活動(dòng),廣泛地為社會(huì)作貢獻(xiàn).致力于保護(hù)生物多樣性和可持續(xù)利用.切實(shí)運(yùn)行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCAPlan-Do-multiple Check-Act,努力提高環(huán)境性能,不斷改善運(yùn)用系統(tǒng).

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