今後石英產(chǎn)品也會(huì)隨著技術(shù)革新而日趨輕薄短小並要求實(shí)現(xiàn)高頻化.此外,低階產(chǎn)品今後也因8045生產(chǎn)量的大為提升而可預(yù)見3225晶振的量也會(huì)擴(kuò)大.至於高階產(chǎn)品現(xiàn)在雖然使用5032,但是隨著4025的研發(fā)成功,5032將被4025取代.至於行動(dòng)電話上使用的TCXO則朝向高約1.2mm的高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)紀(jì)元.由於以往在使用二段構(gòu)造和H型構(gòu)造時(shí)有難以對(duì)應(yīng)的問題,因此今後一體型構(gòu)造基礎(chǔ)技術(shù)的確立將成為重要的研發(fā)關(guān)鍵.一體型構(gòu)造的成功也將使得製程的成本降低成為可能.

SMD型石英晶體的構(gòu)造

使用金屬封裝的石英晶體以BANE等金屬支持晶片.SMD在使用陶瓷基板的情況是可以直接在晶片上定位的(如圖六).從人工水晶切出的晶片,在電極上鍍膜,並在基板上定位,以導(dǎo)電性黏著劑加以固定後封裝.整體來說,雖然是相當(dāng)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),但是無論是材料的選擇,製程的條件,都會(huì)影響到石英晶體的性能.這幾年,特別是行動(dòng)電話上使用的石英晶體,相當(dāng)要求具有防摔特性,其他的特性也都被要求具有可信度.石英晶體在作成SMD之後,其落下衝擊性與Reflow特性也會(huì)大大提升.這是因?yàn)镾MD是以兩端支撐的方式來固定晶片,使石英晶體趨向無壓力的狀態(tài).

AT-CUTSMD型石英晶體的特性

儘管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但是石英晶體的特性還是有難以理解的一面.要理解石英晶體,從它的外觀入手應(yīng)該是最簡(jiǎn)單的.石英晶體一般的樣態(tài)如表三所示.

一、FrequencyTemperatureStability

經(jīng)由溫度特性來做角度的切斷.在人工水晶切割之後進(jìn)行研磨,會(huì)造成角度的偏移.特別是在使用研磨速度快的研磨劑時(shí),因研磨而造成的角度偏移會(huì)更顯著.使用4Way將晶片從厚磨到薄做到高頻化的情況很多,但是因?yàn)?Way研磨機(jī)在研磨時(shí)沒有基準(zhǔn)面,比使用2Way研磨機(jī)產(chǎn)生更多的角度偏移.然而若使用2Way研磨機(jī),那麼會(huì)使盤面的負(fù)擔(dān)增大,因此不能用來作厚度較薄的晶片研磨.若要使用同時(shí)具有兩者優(yōu)點(diǎn)的3Way研磨,則要依狀況來選定研磨方法.關(guān)於特性請(qǐng)參照?qǐng)D二.溫度特性可以從公式1以理論求得.

二,LoadCapacitance

由於ATCUT電容比較小,會(huì)因負(fù)載電容的誤差產(chǎn)生在預(yù)期頻率內(nèi)無法振盪的情況.負(fù)載電容是在振盪迴路內(nèi)的東西,必須在製造石英晶體的時(shí)候以指定的數(shù)值設(shè)定.最近的振盪迴路因?yàn)殡娫措妷狠^低,負(fù)性抵抗變小,造成LoadCapacitance小負(fù)性抵抗大的傾向.若是負(fù)載電容小TS大的話,那麼僅有些許的誤差也會(huì)造成頻率的誤差,這是必須要注意的.

三,Max.ESR

石英晶體的振動(dòng)抵抗以電性來表示,這也和振盪迴路有密切的關(guān)係.振盪迴路的負(fù)性抵抗會(huì)因石英晶體的阻抗大而不振盪.石英晶體的阻抗必須保持在某個(gè)數(shù)值之下,因此先了解振盪迴路的負(fù)性抵抗是必需的.最近封裝尺寸越來越小,阻抗因此有增大的傾向.但是從探討能量閉鎖理論以及改良封裝方法,都能維持與以往的數(shù)值相近的結(jié)果.此外還有許多製造上的問題,都必須要特別注意.

四,DLD

要使石英晶體振動(dòng)程度改變就必須測(cè)量ESR如何變化.在振盪迴路內(nèi)使石英晶體振盪,在振盪開始的時(shí)候,勵(lì)振程度(DriveLevel)幾乎是接近於零的狀態(tài),這個(gè)時(shí)候ESR是沒辦法大幅度振盪的.這種現(xiàn)象沒有再現(xiàn)性的情況相當(dāng)多,是非常麻煩的問題.IEC指出這是製程不良的問題.因此若希望其可信度高就必須要規(guī)定DLD的特性.特性如圖七所示.

五,FrequencyAging

它係隨著時(shí)間產(chǎn)生的頻率變化.石英晶體若是經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的使用,會(huì)因?yàn)橥嵝被蚴俏廴镜挠绊懚l(fā)生變化.這個(gè)特性也和DLD一樣,會(huì)因?yàn)檠u程,材料的不同而被影響.頻率變化量若超過規(guī)定,在無線通訊上就會(huì)產(chǎn)生混訊障礙.混訊是指通訊品質(zhì)下降而產(chǎn)生通訊機(jī)密性的問題.而石英晶體的頻率變化會(huì)逐漸出現(xiàn)上述問題.現(xiàn)在通訊器材用的石英晶體(行動(dòng)電話也包含在內(nèi))一年之內(nèi)的頻率變化量約在正負(fù)1ppm以下.頻率變化量一般來說是以指數(shù)函數(shù)來表現(xiàn).一年內(nèi)的變化量即使不測(cè)定也能從中預(yù)測(cè).圖八是時(shí)間變化的說明圖.

六,ActivityDips

又稱為FrequencyPerturbation.原本石英晶體的溫度特性是以三次曲線來表示,但是這個(gè)現(xiàn)象若發(fā)生就不是三次函數(shù)了.這是因?yàn)榫趦?nèi)部和其他的模式相結(jié)合之故.石英晶體在作成SMD時(shí),晶片會(huì)出現(xiàn)明顯的短?hào)沤Y(jié)合現(xiàn)象.ATCUT原本是厚度振盪,但是和這個(gè)振動(dòng)形式結(jié)合,就會(huì)同時(shí)出現(xiàn)高次外型振動(dòng)的現(xiàn)象.要排除這個(gè)結(jié)合現(xiàn)象,對(duì)於各種振動(dòng)形式的分析能力,依照經(jīng)驗(yàn)累積的設(shè)計(jì)力與晶片加工的準(zhǔn)確度等,就成為相當(dāng)重要的著眼點(diǎn).在通訊面,類比的方式大致上不會(huì)有什麼問題,但在數(shù)位的情況下,通話中要是發(fā)生激烈的頻率變動(dòng),就會(huì)因?yàn)锽it錯(cuò)誤的發(fā)生而造成無法通話的狀況.圖九表示與晶片Z軸尺寸結(jié)合的關(guān)係圖.

前面已經(jīng)簡(jiǎn)單的提到攜帶用電子產(chǎn)品的生產(chǎn)量以及需要日增的石英晶體,對(duì)於ATCUT也做了說明.從上面的探討可以了解石英晶體今後的需求將轉(zhuǎn)趨強(qiáng)烈.在水晶的壓電現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)已經(jīng)歷了120年的今天,終於進(jìn)入重要的頻率控制元件發(fā)展的新紀(jì)元.

今後的發(fā)展?fàn)顩r石英產(chǎn)品與其他的電子零件同樣朝著輕薄短小演進(jìn).石英產(chǎn)品從1990年開始朝著SMD的方向演進(jìn),1998年開始則朝著小型化方向發(fā)展.由於市場(chǎng)也需要輕薄型產(chǎn)品,因此輕薄短小的競(jìng)爭(zhēng)也就從此白熱化起來.

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