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X1G0036410016數據手冊\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ

X1G0036410016數據手冊\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZX1G0036410016數據手冊\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ

產品簡介

X1G0036410016數據手冊\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ,尺寸為2520mm,頻率為38.4MHZ,電壓1.6V~2.2.V,支持輸出CMOS,有源晶振,SPXO晶體振蕩器,愛普生晶振,石英晶體振蕩器,有源貼片晶振,日本進口晶振,低電壓晶振,低耗能晶振,高質量晶振,OSC振蕩器,可穿戴設備晶振,無線模塊晶振,北斗模塊晶振,藍牙音響晶振,汽車專用晶振,X1G0036410013晶振,X1G0036410019晶振。
有源晶體振蕩器產品主要被廣泛應用于可穿戴設備,無線模塊,藍牙音響,投影儀,汽車等領域。X1G0036410016數據手冊\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ.

產品詳情

SG-211SEE 2

X1G0036410016數據手冊\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ,尺寸為2520mm,頻率為38.4MHZ,電壓1.6V~2.2.V,支持輸出CMOS,有源晶振,SPXO晶體振蕩器,愛普生晶振,石英晶體振蕩器,有源貼片晶振,日本進口晶振,低電壓晶振,低耗能晶振,高質量晶振,OSC振蕩器,可穿戴設備晶振,無線模塊晶振,北斗模塊晶振,藍牙音響晶振,汽車專用晶振,X1G0036410013晶振,X1G0036410019晶振。

有源晶體振蕩器產品主要被廣泛應用于可穿戴設備,無線模塊,藍牙音響,投影儀,汽車等領域。X1G0036410016數據手冊\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ.

X1G0036410016數據手冊\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ參數表

項目
規格說明 條件
SG-211SEE SG-211SDE SG-211SCE
輸出頻率范圍 0 2.375 MHz ~ 60.000 MHz 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓 VCC 1.8 V Typ.
1.6 V ~ 2.2 V
2.5 V Typ.
2.2 V ~ 2.7 V
3.3 V Typ.
2.7 V ~ 3.63 V
儲存溫度 T_stg -40oC ~ +125 °C 裸存
工作溫度 T_use -40oC ~ +90 °C
頻率穩定度 f_tol D :2010-6, E :1510-6 -20oC ~+70oC VCC10 %
回流漂移包含
H :20 × 10-6, T :15 × 10-6 -40oC ~+85oC
a: ±15 × 10-6, b: ±20 × 10-6,d: ±25 × 10-6 -40oC ~+90oC
功耗 ICC 2.3 mA Max. 2.5 mA Max. 3.5 mA Max. 無負載條件,2.375 MHz ≤ f032 MHz
2.8 mA Max. 3.0 mA Max. 4.0 mA Max. 無負載條件,32 MHz < f040 MHz
3.3 mA Max. 3.5 mA Max. 4.5 mA Max. 無負載條件,40 MHz < f048 MHz
4.5 mA Max. 5.0 mA Max. 6.0 mA Max. 無負載條件,48 MHz < f060 MHz
待機電流 I_std 5.0 µA Max.
ST =GND
占空比 SYM 45 % ~ 55 % 50 % VCC級別, L_CMOS15 pF
輸出電壓 VOH 90 % VCCMin. IOH=-4 mA
VOL 10 % VCCMax. IOL= 4 mA
輸出負載條件(CMOS) L_CMOS 15 pF Max.
輸入電壓 VIH 80 % VCCMin. ST終端
VIL 20 % VCCMax.
上升/下降時間 tr/ tf 4.5 ns Max. 20 % VCC~ 80 % VCC極
L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間 t_str 5 ms Max. 在90 % VCC時,所需時間為0秒
頻率老化 f_aging 頻率穩定度包含 +25 °C,第一年,VCC=1.8 V ,2.5 V, 3.3 V
X1G0036410016數據手冊\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ尺寸圖

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

X1G0036410016晶振特點:

頻率范圍 :2.375MHz ~ 60MHz

電源電壓 : 1.8 VTyp. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

電流消耗 : 1.2 mA Typ. (SEE 1.8 V 無負載條件40 MHz)

功能 :待機 ( ST )

外部尺寸規格 :2.5×2.0×0.7mm

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編碼 品牌 型號 頻率 尺寸 輸出方式 電源電壓 工作溫度
X1G0036410002 愛普生晶振 SG-211SEE 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410003 愛普生晶振 SG-211SEE 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410004 愛普生晶振 SG-211SEE 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410005 愛普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410006 愛普生晶振 SG-211SEE 37.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410008 愛普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410009 愛普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410010 愛普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410011 愛普生晶振 SG-211SEE 49.152000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410013 愛普生晶振 SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410014 愛普生晶振 SG-211SEE 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410015 愛普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410016 愛普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410017 愛普生晶振 SG-211SEE 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410018 愛普生晶振 SG-211SEE 13.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410019 愛普生晶振 SG-211SEE 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410020 愛普生晶振 SG-211SEE 33.333300 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410022 愛普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410023 愛普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410024 愛普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410025 愛普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410026 愛普生晶振 SG-211SEE 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410027 愛普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410028 愛普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410030 愛普生晶振 SG-211SEE 37.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410031 愛普生晶振 SG-211SEE 12.288000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410032 愛普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410033 愛普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410034 愛普生晶振 SG-211SEE 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410035 愛普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410036 愛普生晶振 SG-211SEE 4.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410037 愛普生晶振 SG-211SEE 15.625000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410038 愛普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410039 愛普生晶振 SG-211SEE 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410041 愛普生晶振 SG-211SEE 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410042 愛普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410043 愛普生晶振 SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410044 愛普生晶振 SG-211SEE 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410045 愛普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C

SG-211SDE 1

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