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Silicon Labs可持續(xù)發(fā)展方案

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2023-09-06 08:40:26【
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Silicon Labs可持續(xù)發(fā)展方案,這是一家專注于創(chuàng)新為主線的供應商,憑借著自身對于產品極致的追求,持續(xù)不斷為行業(yè)提供高質量性能出色的產品為主,對于OSC晶振產品更是做到精益求精,并且總能以高于用戶需求為目標,在滿足用戶需求的同時,堅守品質過硬,性能出色等要求。

我們領先的物聯(lián)網平臺可幫助您快速創(chuàng)建安全、智能的互聯(lián)設備,解決世界上尤為復雜的挑戰(zhàn)。

我們與業(yè)內廣泛的協(xié)議和生態(tài)系統(tǒng)兼容,因此您幾乎可針對任何應用快速推出集成設備。

我們是安全、智能無線技術領域的前沿品牌,致力于打造一個更暢連無阻的世界。我們擁有集成式硬件和軟件平臺、直觀的開發(fā)工具、出色的生態(tài)系統(tǒng)和強大的支持服務,這使得我們成為構建先進工業(yè)、商業(yè)、家居和生活應用的理想長期合作伙伴。我們幫助開發(fā)人員輕松解決整個有源晶振產品生命周期中復雜的無線挑戰(zhàn),并通過創(chuàng)新型解決方案快速進入市場,從而變革行業(yè)、發(fā)展經濟和提高生活質量。

我們憑借創(chuàng)新性和簡潔性為客戶創(chuàng)造價值并助力其取得商業(yè)成功。

我們專注于創(chuàng)新性和簡潔性,刪繁就簡、精益求精,幫助客戶取得成功。

我們信守承諾,堅守責任。

我們采用不留紕漏的工程設計,以身作則,致力于追求卓越。

我們以正確之道行事。

我們誠信經營,為員工、客戶、股東、社區(qū)和地球行正確之事。

我們公司的故事始于德克薩斯州奧斯汀,在這里,三位熱衷于混合信號設計的工程師相遇了

Nav Sooch、Jeff Scott 和 Dave Welland 才華橫溢且互相尊重,因此成為了摯友。在下班后的閑暇時光里,他們討論了自己公司成立的利弊。Dave 建議扔硬幣來決定,如果正面向上便自己創(chuàng)業(yè),反面向上則放棄創(chuàng)業(yè)的想法。硬幣正面向上,Silicon Labs 便這樣誕生了。當被問及如果反面向上會怎么做時,他們說:“我們會采取三局兩勝制。”

我們的DAA用更精密、更高效的集成電路 (IC) 取代了大量體積龐大的組件

我們的解決方案能夠讓單一調制解調器在全球范圍內工作,成本是競爭對手產品的一半,而電路板空間僅占用其五分之一。11月,我們的DAA設備發(fā)貨量達100萬臺,在短短兩年內便從開發(fā)原型設備階段轉變?yōu)榫邆溆芰Α?/span>

隨著新千禧年的到來,我們已準備好迎接增長

2000年3月,我們通過首次公開募股招股 9,900萬美元,成為美國納斯達克股票交易所上市公司(股票代碼為 SLAB),我們的估值達到12億美元。在接下來的幾個月里,股票價格幾乎翻了三倍,使得我們償還我們的風險資本投資者。

我們看到了物聯(lián)網技術實現(xiàn)聯(lián)合國可持續(xù)發(fā)展目標的絕佳機會,并認識到了這種變化從家里開始。2022年,我們成為EPA綠色能源合作伙伴,鞏固了我們減少排放和向可再生能源過渡的承諾。我們有望在2025年前將奧斯汀總部的范圍1和范圍2GHG排放量減少50%,并過渡到100%我們設施中的可再生能源。我們也在仔細檢查我們OSC振蕩器產品的下游影響,并繼續(xù) 在我們自己的解決方案中提高能效。

我們對可持續(xù)和負責任運營的承諾貫穿于整個供應鏈。2022年,我們加入了負責任的 商業(yè)聯(lián)盟,增加透明度和與供應商的合作。我們一起努力提高效率和社交, 道德和環(huán)境責任貫穿我們的全球運營。

我們將繼續(xù)投資于我們的員工和促進創(chuàng)新和包容的計劃。當我們回到辦公室時,我們提出了新的隨著Silabs大學的成立,靈活的工作安排和獲得培訓和指導的機會增加了。我們是積極為代表性不足的人才開辟道路,并致力于推動長期變革,因為我們在我們的招聘、發(fā)展和晉升實踐。2022年,我們成立了DEI委員會來指導我們的工作,審查來自 指導未來行動計劃的年度包容性評估。

原廠代碼 品牌 型號 頻率 電壓 頻率穩(wěn)定度
511ABA74M2500AAGR Silicon振蕩器 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000149AAGR Silicon振蕩器 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500AAGR Silicon振蕩器 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149AAGR Silicon振蕩器 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
511FBA74M2500AAGR Silicon振蕩器 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
510ABA156M250BAGR Silicon振蕩器 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250BAGR Silicon振蕩器 Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA156M250BAGR Silicon振蕩器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250BAGR Silicon振蕩器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAGR Silicon振蕩器 Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510ABA155M520BAGR Silicon振蕩器 Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA155M520BAGR Silicon振蕩器 Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA155M520BAGR Silicon振蕩器 Si510 155.52MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520BAGR Silicon振蕩器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511BBA155M520BAGR Silicon振蕩器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAGR Silicon振蕩器 Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511FBA155M520BAGR Silicon振蕩器 Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000110BAGR Silicon振蕩器 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500BAGR Silicon振蕩器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000110BAGR Silicon振蕩器 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500BAGR Silicon振蕩器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000110BAGR Silicon振蕩器 Si510 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAGR Silicon振蕩器 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000110BAGR Silicon振蕩器 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA148M500BAGR Silicon振蕩器 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000110BAGR Silicon振蕩器 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA148M500BAGR Silicon振蕩器 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000110BAGR Silicon振蕩器 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
510ABA156M250AAGR Silicon振蕩器 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAGR Silicon振蕩器 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAGR Silicon振蕩器 Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250AAGR Silicon振蕩器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250AAGR Silicon振蕩器 Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510ABA155M520AAGR Silicon振蕩器 Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA155M520AAGR Silicon振蕩器 Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA155M520AAGR Silicon振蕩器 Si510 155.52MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAGR Silicon振蕩器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511BBA155M520AAGR Silicon振蕩器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511FBA155M520AAGR Silicon振蕩器 Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000110AAGR Silicon振蕩器 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAGR Silicon振蕩器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000110AAGR Silicon振蕩器 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAGR Silicon振蕩器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000110AAGR Silicon Crystal Si510 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500AAGR Silicon振蕩器 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000110AAGR Silicon振蕩器 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA148M500AAGR Silicon振蕩器 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000110AAGR Silicon振蕩器 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA148M500AAGR Silicon振蕩器 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000110AAGR Silicon振蕩器 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
511FBA148M500AAGR Silicon振蕩器 Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000BAGR Silicon振蕩器 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA125M000AAG Silicon振蕩器 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510ABA200M000BAGR Silicon振蕩器 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
510BBA200M000BAGR Silicon振蕩器 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAGR Silicon振蕩器 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA200M000BAGR Silicon振蕩器 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000BAGR Silicon振蕩器 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000BAGR Silicon振蕩器 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA212M500BAGR Silicon振蕩器 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA212M500BAGR Silicon振蕩器 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA212M500BAGR Silicon振蕩器 Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500BAGR Silicon振蕩器 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500BAGR Silicon振蕩器 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA212M500BAGR Silicon振蕩器 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA200M000AAGR Silicon振蕩器 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000AAGR Silicon振蕩器 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
510BBA200M000AAGR Silicon振蕩器 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511ABA200M000AAGR Silicon振蕩器 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000AAGR Silicon振蕩器 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000AAGR Silicon振蕩器 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA212M500AAGR Silicon振蕩器 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA212M500AAGR Silicon振蕩器 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA212M500AAGR Silicon振蕩器 Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500AAGR Silicon振蕩器 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500AAGR Silicon振蕩器 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA212M500AAGR Silicon振蕩器 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511SAA20M0000AAG Silicon振蕩器 Si511 20MHz 1.8V ±50ppm
510BBA150M000BAG Silicon振蕩器 Si510 150MHz 3.3V ±25ppm
511BCB125M000AAG Silicon振蕩器 Si511 125MHz 3.3V ±20ppm
510FBA154M875AAG Silicon振蕩器 Si510 154.875MHz 2.5V ±25ppm
510FBA157M625AAG Silicon振蕩器 Si510 157.625MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000AAG Silicon振蕩器 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511JBA125M000AAG Silicon振蕩器 Si511 125MHz 1.8V ±25ppm
510KCA100M000BAG Silicon振蕩器 Si510 100MHz 1.8V ±20ppm
590AB70M6560DG Silicon振蕩器 Si590 70.656MHz 3.3V ±25ppm
590FA200M000DG Silicon振蕩器 Si590 200MHz 2.5V ±50ppm
590DA156M250DG Silicon振蕩器 Si590 156.25MHz 3.3V ±50ppm
591BB300M000DG Silicon振蕩器 Si591 300MHz 3.3V ±25ppm
550CD74M2500DGR Silicon振蕩器 Si550 74.25MHz 3.3V ±50ppm
530CA28M6000DG Silicon振蕩器 Si530 28.6MHz 3.3V ±50ppm
530AC125M000DGR Silicon振蕩器 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
530BC125M000DGR Silicon振蕩器 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
530EC125M000DGR Silicon振蕩器 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531AC125M000DGR Silicon振蕩器 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531BC125M000DGR Silicon振蕩器 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531EC125M000DGR Silicon振蕩器 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
531FC125M000DGR Silicon振蕩器 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC106M250DGR Silicon振蕩器 Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530BC106M250DGR Silicon振蕩器 Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC106M250DGR Silicon振蕩器 Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC106M250DGR Silicon振蕩器 Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531AC106M250DGR Silicon振蕩器 Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531BC106M250DGR Silicon振蕩器 Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC106M250DGR Silicon振蕩器 Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC106M250DGR Silicon振蕩器 Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm

我們在2022年取得了巨大的進步,以進一步推進我們的可持續(xù)發(fā)展努力,并相信我們有愿景和重點來實現(xiàn)更可持續(xù)的通過我們的有源晶體振蕩器產品、運營和人員來影響世界。2023年,我們很高興能夠繼續(xù)在可持續(xù)發(fā)展方面取得進展,包括各項舉措推進我們的環(huán)境和網絡安全工作,促進健康、包容和參與式的工作文化。Silicon Labs可持續(xù)發(fā)展方案.

Silicon Labs是安全、智能無線技術領域的領導者,致力于打造更加互聯(lián)的世界。我們讓開發(fā)者輕松解決復雜的無線挑戰(zhàn)在整個產品生命周期中,通過創(chuàng)新的解決方案快速進入市場改變工業(yè),發(fā)展經濟,改善生活。我們支持可持續(xù)發(fā)展物聯(lián)網解決方案可顯著支持提高能效、改善健康、創(chuàng)新基礎設施、可持續(xù)城市和負責任的生產.

我們是一家無晶圓廠半導體公司,總部位于德克薩斯州奧斯汀,擁有全球20個國家的員工和制造合作伙伴。我們承諾 清潔技術產品設計,對環(huán)境和社會負責的運營貫穿我們的供應鏈,并提供最高水平的產品安全。

硅實驗室正在創(chuàng)造一個更智能、更互聯(lián)的世界。我們堅定不移致力于推進我們的環(huán)境、社會和治理工作,并成為半導體行業(yè)的可持續(xù)領導者。我們的可持續(xù)性戰(zhàn)略以我們的核心價值觀為指導,并專注于我們認為我們可以產生最大的影響:創(chuàng)造具有積極的環(huán)境和社會影響的創(chuàng)新產品,培養(yǎng)和增強多元化、創(chuàng)新文化;以對環(huán)境和社會負責的方式開展業(yè)務方式;與我們的利益相關者和社區(qū)分享價值創(chuàng)造在未來。

我們從環(huán)境、社會和治理(ESG)主題的角度看待可持續(xù)發(fā)展,關注我們的 五個戰(zhàn)略領域的可持續(xù)發(fā)展目標:員工 福祉、產品和服務創(chuàng)新、生態(tài)高效運營、減緩氣候變化和負責任的供應鏈。

我們定期與利益相關方接觸,以更好地了解他們的ESG觀點, 在我們選擇戰(zhàn)略重點領域時,仔細考慮反饋。

ESG是Silicon晶振持續(xù)關注的焦點,由我們的ESG指導委員會領導它不斷評估風險和機遇,這些風險和機遇將決定我們的發(fā)展戰(zhàn)略。指導委員會由高級管理人員組成和跨職能人員,他們的任務是制定戰(zhàn)略, 推動目標,報告成就。我們關注幾個全球性的自愿可持續(xù)性和報告框架,包括可持續(xù)性會計準則委員會(SASB)和氣候相關工作隊財務披露(TCFD),這是我們首次披露的內容附錄中的報告。我們還使我們的環(huán)境、社會和治理舉措與聯(lián)合國保持一致可持續(xù)發(fā)展目標和聯(lián)合國全球契約。我們有一個強大的ESG路線圖,具有基于改善企業(yè)的明確目標責任和可持續(xù)發(fā)展。

利益相關者的參與是硅實驗室的優(yōu)先事項。我們相信持續(xù)與利益相關者進行公開對話,包括了解材料主題、期望和參與流程,對于硅實驗室的成功至關重要。 2022年,我們進行了第一次實質性評估利益相關方的反饋貫穿于我們的長期戰(zhàn)略重點 ESG是我們可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要組成部分。

我們針對內部和外部的利益相關者,包括硅實驗室領導團隊、客戶、投資者、供應商和非營利組織。 憑借89%的參與率,我們能夠更好地完善我們的ESG戰(zhàn)略考慮數據隱私和安全性以及董事會的獨立性和多樣性。我們將使實質性評估成為一項年度活動,目標是隨著我們的發(fā)展,我們的主要客戶、投資者和供應商的人口。

硅實驗室是安全、智能無線技術領域的領導者物聯(lián)網是一個不斷增長的智能互聯(lián)設備市場部署在全世界的家庭、工業(yè)和城市中。

我們的產品支持家庭、醫(yī)療、工業(yè)和商業(yè)環(huán)境中的可持續(xù)物聯(lián)網解決方案,包括空氣污染和廢物管理監(jiān)控、水完整性、住宅灌溉 監(jiān)控、街道照明網絡、高級計量基礎設施和建筑能源管理。

我們在高性能、低功耗和安全性方面處于行業(yè)領先地位,支持最廣泛的 多協(xié)議解決方案。我們對節(jié)能的熱情已經從芯片級設計發(fā)展到系統(tǒng)級功耗 消費。我們提供小型節(jié)能集成電路,可將電池壽命延長25 百分比,從而減少一次性電池并減少垃圾填埋。

我們不斷創(chuàng)新,以提高我們的產品和服務的能效和生產率。硅 實驗室致力于縮小芯片尺寸以提高產量,進一步降低能耗 足跡,并優(yōu)化制造過程,以減少來源。我們的系列2產品已經 旨在滿足低功耗物聯(lián)網設備日益增長的需求,使設備能夠在現(xiàn)場 一節(jié)紐扣電池可使用長達十年。

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