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百利通亞陶石英晶振,貼片晶振,XR25晶振,高頻晶振

頻率：16MHz～66MHz

尺寸：2.5*2.0*0.5mm

2520mm體積的晶振,可以說(shuō)是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),比如通信晶振,已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品.

訂購(gòu)熱線：0755-27876201

百利通亞陶石英晶振,貼片晶振,XR25晶振,高頻晶振

制造商	百利通亞陶	產(chǎn)地	臺(tái)灣	產(chǎn)品型號(hào)	XR25
頻率	16MHz～66MHz	負(fù)載	7pF～32pF	溫度范圍	-40℃～+125℃
頻率偏差	±10ppm～±50ppm	封裝	金屬面貼片	尺寸	2.01.20.6mm

百利通亞陶晶振規(guī)格	單位	XR25晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	16MHz～66MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10～±50× 10-6(標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.cnpsc.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30～±100×10^-6/-40°C～+125°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF～32pF	超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊

所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門(mén)或雜散現(xiàn)象.

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.

輸出負(fù)載

建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近貼片晶振的地方(在20mm范圍之間).

抗沖擊

貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解智能家居晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

DIODES晶振在”制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的晶振,石英晶振,壓電石英晶體元器件價(jià)值,給社會(huì)帶來(lái)溫馨和安寧,感動(dòng)和驚喜,同時(shí)為減少環(huán)境影響,努力做好”防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處.

DIODES晶振公司的目標(biāo)是保證壓電石英晶體元器件繼續(xù)滿(mǎn)足客戶(hù)要求的同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響降到最小,在有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振生產(chǎn)過(guò)程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實(shí)現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn).
承諾保護(hù)環(huán)境,重視員工、客戶(hù)和公眾的健康和安全.我們從事任何活動(dòng),都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性和相關(guān)性.

DIODES晶振建立目標(biāo)指標(biāo)、監(jiān)測(cè)程序,利用最好的管理手段,應(yīng)用節(jié)約成本的技術(shù),持續(xù)改進(jìn)我們的環(huán)境表現(xiàn).我們承諾采取積極的、預(yù)防性的戰(zhàn)略管理來(lái)對(duì)自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.

DIODES晶振公司的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平.

實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).

DIODES晶振致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染.在石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個(gè)過(guò)程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù).在業(yè)務(wù)活動(dòng)中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少?gòu)U棄物和再生資源的回收利用.在積極公開(kāi)有關(guān)環(huán)境的信息的同時(shí),通過(guò)支持環(huán)保活動(dòng),廣泛地為社會(huì)作貢獻(xiàn).致力于保護(hù)生物多樣性和可持續(xù)利用.切實(shí)運(yùn)行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA（Plan-Do-multiple Check-Act）,努力提高環(huán)境性能,不斷改善運(yùn)用系統(tǒng)的前提下不斷加強(qiáng)對(duì)無(wú)源晶振的研發(fā).

DIODES晶振集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”,在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用.我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性,并致力于“CSR經(jīng)營(yíng)”和“環(huán)境經(jīng)營(yíng)”.為取得社會(huì)的信任,為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化,集團(tuán)還開(kāi)展了各種各樣的活動(dòng).