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百利通亞陶石英晶振,貼片晶振,XRQ晶振,Diodes進(jìn)口晶振

頻率:8MHz~125MHz

尺寸:5.0*3.2*0.95mm

小型表面貼片型貼片晶振,較適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,比如車載晶振,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從8MHz起對(duì)應(yīng),小型,薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在惡劣嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊盤以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200認(rèn)證.







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百利通亞陶石英晶振,貼片晶振,XRQ晶振,Diodes進(jìn)口晶振

制造商 百利通亞陶 產(chǎn)地 臺(tái)灣 產(chǎn)品型號(hào) XRQ
頻率 24MHz~66MHz
負(fù)載 7pF~32pF
溫度范圍 -40℃~+125
頻率偏差

±10ppm~±50ppm

封裝
金屬面貼片 尺寸 5.0*3.2*0.95mm

百利通亞陶晶振規(guī)格

單位

FYQ晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

8MHz~125MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±10~±30× 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.cnpsc.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±10~±50×10-6/-20°C+85°C



超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF~32pF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

FYQ 5032

操作

請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸無源晶振的表面.

使用環(huán)境(溫度和濕度)

請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

抗沖擊

貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解臺(tái)產(chǎn)晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

百利通亞陶晶振公司的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平.

實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).

DIODES晶振致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染.在石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個(gè)過程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù).在業(yè)務(wù)活動(dòng)中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用.在積極公開有關(guān)環(huán)境的信息的同時(shí),通過支持環(huán)保活動(dòng),廣泛地為社會(huì)作貢獻(xiàn).致力于保護(hù)生物多樣性和可持續(xù)利用.切實(shí)運(yùn)行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA(Plan-Do-multiple Check-Act),努力提高環(huán)境性能,不斷改善運(yùn)用系統(tǒng).

DIODES晶振集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”,在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用.我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性,并致力于“CSR經(jīng)營(yíng)”和“環(huán)境經(jīng)營(yíng)”.為取得社會(huì)的信任,為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化,集團(tuán)還開展了各種各樣的活動(dòng).

作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.

有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行壓電石英晶體、有源晶振,壓控振蕩器原材料的有效利用.

為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).

推進(jìn)無源晶振,壓控振蕩器環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).

建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

FYQ

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