頻率：8.00～100.0MHz
尺寸：8.00*4.50*1.6mm
| 制造商 | 富士通 | 產地 | 日本 | 產品型號 | FSX-8L |
| 頻率 |
10.0～100.0MHz |
負載 |
12pF～16pF |
溫度范圍 |
-20°C～+70°C |
| 頻率偏差 |
±30ppm～50ppm |
封裝 |
陶瓷面貼片 | 尺寸 | 8.00*4.50*1.6mm |
|
富士通晶振規(guī)格 |
單位 |
FSX-8L晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
8.00～100.0MHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-30°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C～+70°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30～±50× 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30～±50 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
12pF～16pF |
超出標準說明,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射.
化學制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解攝像頭晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
富士通晶振通過追求以QMEMS技術為核心的“省、小、精”技術,來推動具有領先性的環(huán)保活動,把降低環(huán)境負荷作為一種顧客價值提供給顧客.
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,聲表面濾波器等水晶元器件及其關聯產品；并且構筑和革新既可以降低環(huán)境負荷又可以提高生產性的生產流程的活動.
通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領域業(yè)務的所有相關人員徹底傳達的同時,也向公司外部公開.
富士通晶振集團將建立可行的技術及經濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質量.
富士通晶振集團公司將關注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.
富士通晶振集團將在各領域內的商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
根據需要,提高環(huán)境技術、材料和石英晶體諧振器的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.
富士通晶振公司的目標是保證產品繼續(xù)滿足客戶要求的同時對環(huán)境的影響降到最小,在生產過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實現環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進.
承諾保護環(huán)境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動,都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復雜性和相關性.
建立目標指標、監(jiān)測程序,利用最好的管理手段,應用節(jié)約晶振生產成本,持續(xù)改進我們的環(huán)境表現.我們承諾采取積極的、預防性的戰(zhàn)略管理來對自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.
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