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ILSI晶振,貼片晶振,HC49USM晶振

頻率:3.2~100MHZ

尺寸:13.3*4.7mm

普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).
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ILSI晶振,貼片晶振,HC49USM晶振,1995年,ILSI北京中國(guó)辦事處開業(yè)。1998年,ILSI美國(guó)公司搬遷到它現(xiàn)在的位置,這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年,ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國(guó)辦事處的開業(yè)完成了我們?cè)诿绹?guó)和亞洲提供真正實(shí)體店的目標(biāo),這些實(shí)體由直接員工提供,以支持我們?cè)诒泵溃鞲纾瑏喼藓蜌W洲快速增長(zhǎng)的客戶群。

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

ILSI晶振規(guī)格

單位

HC49USM晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

3.2~100MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C  +85°C

裸存

工作溫度

T_use

-0°C  +70°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

1mW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±30× 10-6 

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.cnpsc.cn

頻率溫度特征

f_tem

±50× 10-6/-20°C  +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

18pF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

HC49USM 13.3_4.7mm

存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存金屬面晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。ILSI晶振,貼片晶振,HC49USM晶振

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1:抗沖擊:抗沖擊是指車載晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 

4:粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致無源石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.的高層管理人員通過制定和實(shí)施本質(zhì)量手冊(cè)表明了其對(duì)49S大型兩腳諧振器質(zhì)量管理體系的承諾。此外,通過ILSI美國(guó)有限責(zé)任公司/ ILSI-MMD Inc.質(zhì)量方針,在管理評(píng)審會(huì)議期間制定和審查的具體目標(biāo),以及提供所需資源以實(shí)現(xiàn)我們不斷提高我們運(yùn)營(yíng)效率的目標(biāo)和質(zhì)量體系。ILSI晶振,貼片晶振,HC49USM晶振

由總裁和所有部門經(jīng)理組成的管理團(tuán)隊(duì)專注于確保我們的49S型貼片晶體產(chǎn)品和服務(wù)符合客戶以及法定和監(jiān)管要求。我們致力于不斷提高質(zhì)量管理體系的有效性和我們對(duì)客戶滿意度的承諾,通過監(jiān)控我們的業(yè)績(jī)與我們既定的目標(biāo)以及通過促進(jìn)員工參與的領(lǐng)導(dǎo)力來實(shí)現(xiàn)。這個(gè)概念代表了ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.對(duì)質(zhì)量的承諾,以及越來越需要更好地服務(wù)于不斷增長(zhǎng)和要求苛刻的客戶群。

ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.制定了我們認(rèn)為適合我們組織的壓電石英晶體質(zhì)量方針,并且符合ISO 9001:2008中規(guī)定的要求。該政策在整個(gè)公司內(nèi)傳達(dá)。部門經(jīng)理和主管負(fù)責(zé)確保所有員工了解政策。為確保我們的政策適宜,我們至少每年在其管理評(píng)審會(huì)議上對(duì)其進(jìn)行審查。

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瑪居禮晶振,貼片晶振,ML49晶振
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貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
瑪居禮晶振,貼片晶振,M49晶振
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貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
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