愛普生晶振公司已經(jīng)建立了一個原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價值,并決定使用這個模型來驅(qū)動前面提到的四個關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建石英晶體振蕩器產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計提供獨特價值的產(chǎn)品.愛普生晶振公司加強人力資源的全功能,技術(shù),生產(chǎn),銷售和支持和環(huán)境問題,利用信息技術(shù),推進我們的原始制造模式尋求實現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標是使用我們的技術(shù)來創(chuàng)建一個新的連接人的時代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會.

愛普生晶振,貼片晶振,MC-156晶振,小型無源石英貼片晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性.

石英晶振多層,多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目 前研發(fā)及生產(chǎn)精度高,穩(wěn)定性高石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材,鍍幾種材料,幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的貼片晶振附著力增強.貼片晶振頻率更加集中.能控制在最小ppm之內(nèi).

MC-156晶振注意事項

所有產(chǎn)品的共同點

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.愛普生晶振,貼片晶振,MC-156晶振

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.

3:化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

4:粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5:鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.EPSON晶振環(huán)保方針：

EPSON晶振通過追求以QMEMS技術(shù)為核心的“省,小,精”技術(shù),來推動具有領(lǐng)先性的環(huán)保活動,把降低 環(huán)境負荷作為一種顧客價值提供給顧客.創(chuàng)造并提供專研了“省.小.精”的32.768K鐘表晶振,溫補晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構(gòu)筑和革新既可以降低 環(huán)境負荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動.

愛普生株式會社EPSON晶振通過與地區(qū)的交流及社會貢獻活動.為地區(qū)的環(huán)保做貢獻.將環(huán)保活動的信息向公司內(nèi)外公開.積極努力的與地區(qū)社會及相關(guān)人員建立信賴關(guān)系,為社會的發(fā)展做出貢獻.通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達的同時,也向公司外部公開.愛普生晶振,貼片晶振,MC-156晶振