頻率:37400~60000MHz
尺寸:1.6*1.2mm
日本京瓷晶振株式會社保持公正、體面的工作精神,尊重人,我們的工作,我們的公司和我們的全球社區(qū).提供的材料和知識有機會增長我們所有的員工,并通過我們的共同努力,為社會和人類的進步做出貢獻.石英晶體,貼片晶振, 溫補晶振對于手機、數(shù)碼相機和其他數(shù)字設備關鍵部件的性能有重要影響.
京瓷晶振,貼片晶振,CX1612DB晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性.
晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.
京瓷晶振規(guī)格 |
單位 |
CX1612DB晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
37400~60000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。KYOCERA晶振環(huán)保方針:
京瓷晶振為區(qū)域發(fā)展所做的貢獻受到了高度評價,連續(xù)6年榮獲日本環(huán)境省頒發(fā)的"防止全球變暖活動環(huán)境大臣表彰獎",成為獲獎次數(shù)最多的企業(yè)。京瓷晶振的各項能源、資源消耗指標和排放指標達到國內(nèi)領先、國際先進水平。實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標。
京瓷晶振致力于環(huán)境保護,包括預防污染。在產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務。在業(yè)務活動中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用。京瓷晶振,貼片晶振,CX1612DB晶振.
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