crosoft="" yahei";"="" style="font-size:16px">IC技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致了OCXO晶振和TCXO晶振的增強(qiáng),模糊了它們的歷史差異。隨著技術(shù)的進(jìn)步,這兩種石英晶體振蕩器的功能使得許多設(shè)計者很難確定哪種技術(shù)適合特定的應(yīng)用。本文章在為設(shè)計者提供OCXO和TCXO的比較,以幫助他們做出更明智的選擇,并獲得給定應(yīng)用的最佳性能.OCXO和TCXO技術(shù)之間的電流分界線在期望的溫度范圍內(nèi)大約為0.28PPM。TCXO在第3層應(yīng)用中的發(fā)展已經(jīng)導(dǎo)致了溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定性的進(jìn)步——接近OCXO傳統(tǒng)上實現(xiàn)的穩(wěn)定性。由于這兩種技術(shù)都適用于應(yīng)用程序,因此決定哪種技術(shù)最適合給定的應(yīng)用程序可能會令人困惑。