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當(dāng)以上兩個(gè)概念結(jié)合在一起時(shí),啟用/禁用互補(bǔ)<b>差分晶體b><b>振蕩器b>,結(jié)果是一個(gè)禁用的輸出對(duì),邏輯上有一個(gè)輸出高電平(通過器件的內(nèi)部電阻連接到Vcc),另一個(gè)輸出為a邏輯低狀態(tài)(輸出晶體管關(guān)斷).因?yàn)榇蠖鄶?shù)啟用/禁用輸出用于自動(dòng)測試設(shè)備將測試信號(hào)注入被測電路,目標(biāo)是在任何情況下都要與輸出信號(hào)斷開連接.
<b style="font-size: 16px; text-indent: 28px; word-spacing: -1.5px;">康比電子b>該篇文章接下來的討論適用于寬溫度范圍的頻率標(biāo)準(zhǔn)(即,那些設(shè)計(jì)為在跨越至少90%的溫度范圍內(nèi)工作的標(biāo)準(zhǔn)).在更窄的溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備比下面的對(duì)比設(shè)備具有更好的穩(wěn)定性.商用頻率源涵蓋幾個(gè)數(shù)量級(jí)的精度范圍——從簡單的X0到<b>石英晶體振蕩器b>頻率標(biāo)準(zhǔn).隨著精度的提高,功率需求,尺寸和成本也在增加.例如,圖33顯示了精度和功率要求之間的關(guān)系.精確度和成本是相似的
當(dāng)我們?cè)诓少忂x擇<b style="font-size: 16px; text-indent: 28px; word-spacing: -1.5px;">晶振b>頻率元件時(shí),首先要了解其詳細(xì)的各項(xiàng)參數(shù),如頻率及負(fù)載電容是主要的,負(fù)載電容沒有選擇恰當(dāng),那么將無法與產(chǎn)品相匹配.如當(dāng)訂購工作頻率為f(如32.768千赫或20兆赫)的振蕩器晶體時(shí),通常僅規(guī)定工作頻率是不夠的.雖然晶體將以接近其串聯(lián)諧振頻率的頻率振蕩,但實(shí)際振蕩頻率通常與該頻率略有不同(在"并聯(lián)諧振電路"中稍高些).
7Z-38.400MBG-T臺(tái)灣晶技溫補(bǔ)晶振7Q-20.000MCN-T小型貼片晶振7Q-16.367667MBG-T石英晶體振蕩器7Z-38.400MBG-T<b>溫補(bǔ)b><b>晶b><b>體振蕩器b>7Q-24.000MCN-T臺(tái)灣晶技溫補(bǔ)晶振7Q-16.367667MBG-T溫補(bǔ)晶振7Z-38.400MBG-T溫補(bǔ)晶振7Q-20.000MDN-T石英晶體振蕩器7N-38.880MBP-T臺(tái)產(chǎn)TCXO晶振7N-12.800MBP-T臺(tái)產(chǎn)TCXO晶振7Q-24.000MDN-T溫補(bǔ)晶振7N-38.880MBP-T溫度補(bǔ)償晶振7N-12.800MBP-T溫度補(bǔ)償晶振7Z26000001臺(tái)產(chǎn)TCXO晶振7N-38.880MBP-T溫補(bǔ)有源晶振7N-12.800MBP-T溫補(bǔ)有源晶振7Q-19.200MBG-T溫度補(bǔ)償晶振7N-19.440MBP-T石英晶振7N-26.000MBP-T石英晶振7Q-26.000MBG-T溫補(bǔ)有源晶振7N-19.440MBP-T貼片晶振7N-26.000MBP-T貼片晶振7Q-26.000MBG-T石英晶振7N-19.440MBP-TTXC晶振7N-26.000MBP-TTXC晶振7Q-26.000MBG-T貼片晶振7P-38.400MBP-T小型貼片晶振7L-16.368MCG-T小型貼片晶振7Q-16.3676MCG-TTXC晶振7P-38.400MBP-T臺(tái)灣晶技溫補(bǔ)晶振7L-16.368MCG-T臺(tái)灣晶技溫補(bǔ)晶振7Q-16.367667MCG-T小型貼片晶振7P-38.400MBP-T石英晶體振蕩器7L-16.368MCG-T石英晶體振蕩器7Q-16.368MCG-T臺(tái)灣晶技溫補(bǔ)晶振7N-24.576MBP-T溫補(bǔ)晶振7Q-16.368MBG-T溫補(bǔ)晶振7Q-16.369MCG-T<b style="font-size: 16px; text-indent: 28px; word-spacing: -1.5px;">石英晶體振蕩器b>7N-24.576MBP-T臺(tái)產(chǎn)TCXO晶振7Q-16.368MBG-T臺(tái)產(chǎn)TCXO晶振7Q-19.200MCG-T溫補(bǔ)晶振7N-24.576MBP-T溫度補(bǔ)償晶振7Q-16.368MBG-T溫度補(bǔ)償晶振7Q-26.000MCG-T臺(tái)產(chǎn)TCXO晶振7N-38.400MBP-T溫補(bǔ)有源晶振7Q-16.369MBG-T溫補(bǔ)有源晶振7Q-12.800MBG-T溫度補(bǔ)償晶振7N-38.400MBP-T石英晶振7Q-16.369MBG-T石英晶振7Q-16.000MBG-T溫補(bǔ)有源晶振7N-38.400MBP-T貼片晶振7Q-16.369MBG-T貼片晶振7Q-20.000MBG-T石英晶振
<b>IDT晶振b>公司Integrated Device Technology開發(fā)了優(yōu)化客戶應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)解決方案.IDT在射頻,高性能定時(shí),存儲(chǔ)器接口,實(shí)時(shí)互連,光互連,無線電源和智能傳感器等市場領(lǐng)先的產(chǎn)品是公司廣泛的通信,計(jì)算,消費(fèi),汽車的完整混合信號(hào)解決方案和工業(yè)部門.IDT總部位于加利福尼亞州圣何塞,在全球設(shè)有設(shè)計(jì),制造,銷售機(jī)構(gòu)和分銷合作伙伴.IDT提供業(yè)內(nèi)最廣泛,最深入的硅計(jì)時(shí)產(chǎn)品組合.除了我們廣泛選擇的緩沖器,時(shí)鐘合成器和<b style="font-size: 16px; text-indent: 2em;">硅振蕩器b>產(chǎn)品之外,我們還提供領(lǐng)先的系統(tǒng)時(shí)序解決方案,以解決幾乎任何應(yīng)用中的時(shí)序挑戰(zhàn).憑借超過25年的模擬和數(shù)字時(shí)序經(jīng)驗(yàn),我們的產(chǎn)品組合具有最低相位噪聲和最高性能的高級(jí)時(shí)序技術(shù).
<b>石英晶振b>在當(dāng)今社會(huì)上的地位是無法撼動(dòng)的,生活中處處都需要使用到的一款電子產(chǎn)品元器件.而壓電現(xiàn)象的早期歷史壓電現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn)后不久,居里夫婦就利用壓電效應(yīng)使幾種儀器失效了.其中之一是壓電電壓表.另一種是壓電計(jì),后來成為皮埃爾和瑪麗•居里在他們的工作中使用的基本儀器,導(dǎo)致鐳的發(fā)現(xiàn).否則,三十多年來,壓電效應(yīng)保持不變實(shí)驗(yàn)室的好奇心.進(jìn)一步的發(fā)展必須等待三極管真空管的發(fā)明.居里夫婦之后,朗之萬教授首次應(yīng)用了壓電效應(yīng),下面<b style="font-size: 16px; text-indent: 28px; word-spacing: -1.5px;">康比電子b>介紹一下關(guān)于壓電石英晶振的發(fā)展過程.
<b>時(shí)鐘振蕩器b>簡單的說時(shí)鐘電路就是一個(gè)振蕩器,給單片機(jī)提供一個(gè)節(jié)拍,單片機(jī)執(zhí)行各種操作必須在這個(gè)節(jié)拍的控制下才能進(jìn)行,因此單片機(jī)沒有時(shí)鐘電路是不會(huì)正常工作的.時(shí)鐘電路本身是不會(huì)控制什么東西，而是你通過程序讓單片機(jī)根據(jù)時(shí)鐘來做相應(yīng)的工作.那他是如何工作的接下來<b>深圳b><b>康比電子b>給大家講解一下時(shí)鐘集成芯片.時(shí)鐘集成芯片的工作條件
隨著石英晶振的需求量逐漸的增長,其要求和質(zhì)量等方面的要求也高起來.寶石中的水晶比較熟悉.它們被用于傳統(tǒng)工藝品,珠寶,甚至神秘的水晶球.但石英晶體也是現(xiàn)代生活方式的關(guān)鍵對(duì)象,它們?cè)谥悄?/span>手機(jī)和其他手機(jī),數(shù)碼相機(jī)和汽車電子產(chǎn)品中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用.下面將介紹<b>大河晶振b>的相關(guān)技術(shù)資料.
振蕩器包括放大器和濾波器/耦合網(wǎng)絡(luò),它們使用正反饋環(huán)路工作.振蕩器通常采用密閉式封裝.這對(duì)于很多應(yīng)用是非常實(shí)用的,例如控制數(shù)字處理器的速度,生成時(shí)鐘信號(hào),創(chuàng)建載波發(fā)生器或接收器等多種應(yīng)用.當(dāng)前市場上有多個(gè)不同類型的振蕩器,包括<b style="font-size: 16px; text-indent: 28px; word-spacing: -1.5px;">石英晶體振蕩器b>,MEMS,壓控晶體振蕩器,溫度補(bǔ)償晶體振蕩器等.本文將探討一些主要類型的振蕩器,以及業(yè)內(nèi)使用的一些常見術(shù)語.
<b>Sb><b>ITIME晶振b>微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)kHz振蕩器是極小的低功耗32kHz器件,針對(duì)移動(dòng)和其他電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化.硅MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超小尺寸和芯片級(jí)封裝.這些器件可實(shí)現(xiàn)更大的元件布局靈活性,并消除了外部負(fù)載電容,從而節(jié)省了額外的元件數(shù)量和電路板空間.SiTime采用NanoDrive™技術(shù),這是一種工廠可編程輸出,可降低電壓擺幅,從而最大限度地降低功耗.還提供TempFlatMEMS™技術(shù),該技術(shù)可在1.2mmx1.2mm的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)首個(gè)32kHz±3百萬分之一(ppm)超級(jí)TCXO.SiTime的MEMS振蕩器包括一個(gè)<b style="font-size: 16px; text-indent: 2em;">MEMS諧振器b>和一個(gè)可編程模擬電路.kHzMEMS諧振器采用SiTime獨(dú)特的MEMSFirst™工藝.關(guān)鍵制造步驟是EpiSeal™,在此期間MEMS諧振器的退火溫度超過+1000°C.EpiSeal創(chuàng)造了一個(gè)極其牢固,干凈的真空室來封裝MEMS諧振器,可確保最佳的性能和可靠性
<b>時(shí)鐘晶振b>抖動(dòng)的對(duì)產(chǎn)品的性能影響很大,這是我們都知曉的問題,而且其測量時(shí)鐘抖動(dòng)的大小也漸漸地成為現(xiàn)在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)的一個(gè)重要組成部分.就目前而言,已經(jīng)有不少的方法可以可來測量時(shí)鐘的抖動(dòng),抖動(dòng)的定義是什么,該如何減少時(shí)鐘振蕩器抖動(dòng)呢,下面<b>康比電子b>帶領(lǐng)大家一起了解.
<b>MEMS振蕩器b>提供低功耗,小尺寸,高性能和物理穩(wěn)健性的有吸引力的組合,使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇,特別是在便攜式和可穿戴電子產(chǎn)品中. 他們利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造和封裝方法的能力意味著他們的成本和性能將繼續(xù)提高,確保他們將繼續(xù)進(jìn)入傳統(tǒng)上保留用于<b>石英晶振b>和陶瓷諧振器的應(yīng)用.該電子振蕩器產(chǎn)生具有精確頻率的輸出以產(chǎn)生定時(shí)脈沖并同步事件.基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的振蕩器將精確的頻率生成與低功耗相結(jié)合,并且在時(shí)鐘電路中變得越來越流行.本文<b>深圳b><b>康比電子b>將介紹MEMS技術(shù),MEMS振蕩器以及為什么它們?cè)诒銛y式和非便攜式應(yīng)用中取代更傳統(tǒng)的解決方案.
晶體諧振器是一種機(jī)械振動(dòng)系統(tǒng),通過壓電效應(yīng)與電氣世界相連,當(dāng)電感器與晶體串聯(lián)連接時(shí),操作頻率降低.通過增加或改變電抗來改變工作頻率的能力允許補(bǔ)償TCXO中晶體單元的頻率與溫度變化,并調(diào)節(jié)電壓控制<b style="font-size: 16px; text-indent: 28px; word-spacing: -1.5px;">石英晶體振蕩器b>的輸出頻率; 在兩者中,通過改變變?nèi)荻O管上的電壓來改變頻率.
<b style="font-family: "Microsoft YaHei"; font-size: 16px; text-indent: 28px; word-spacing: -1.5px;">石英晶振b>此款頻率元件被廣泛用于各種跟電子相關(guān)產(chǎn)品的領(lǐng)域范圍內(nèi).多年來,頻率控制技術(shù)的發(fā)展一直在穩(wěn)步推進(jìn).雖然許多變化都是技術(shù)自然演進(jìn)的結(jié)果,但主要驅(qū)動(dòng)因素是制造能力的提高,降低成本的要求以及對(duì)更小尺寸,更大穩(wěn)定性,降低功耗和更快啟動(dòng)的各種技術(shù)要求.
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